长鑫科技G5 DRAM平台量产并首发展示LPDDR6内存
RecodeX 重构消息,在合肥举行的2026世界制造业大会上,长鑫科技宣布第五代DRAM技术平台(G5平台)实现量产,并同步展出基于该平台的大容量LPDDR5X产品,还首次公开展示了已量产的LPDDR6内存。
G5平台的核心突破在于制程微缩,依托四重曝光技术,将内存阵列有源区半间距微缩至11.95纳米,接近全球最顶尖的内存量产平台制程水平。
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G5平台的核心突破在于制程微缩,依托四重曝光技术,将内存阵列有源区半间距微缩至11.95纳米,接近全球最顶尖的内存量产平台制程水平。
RecodeX 重构消息,长鑫存储第五代(G5)DRAM工艺平台已实现量产,相关产品进入市场供应阶段。该代工艺的量产被视为国产存储芯片在制程代际上继续追赶国际头部厂商的重要节点,其产能爬坡与良率表现将直接影响国产DRAM在全球市场中的份额与梯队位置。