RecodeX 重构消息，中国存储芯片制造商长鑫存储（CXMT）公布下一代DRAM技术进展，计划在2026年底前推出采用4F²存储单元架构的服务器DDR5注册内存条（RDIMM）。由于三星电子此前被认为要到2028年前后才会推进类似技术，该时间表一度被解读为长鑫存储有望在特定DRAM架构上领先韩国竞争对手约两年。不过有华尔街分析师对此提出质疑，认为年内推出并不等同于领先三星两年，良率才是关键。