长鑫存储4F²架构DRAM产品预计年底亮相
RecodeX 重构消息，长鑫存储披露其4F²架构DRAM产品进展，该架构产品预计将于今年年底亮相。4F²单元架构旨在缩小存储单元面积、提升芯片密度，是DRAM制程演进的方向之一。
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长鑫存储4F² DRAM架构
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按最新发布排序长鑫存储4F² DRAM架构获进展 年底推新一代DDR5 RDIMM
RecodeX 重构消息，长鑫存储4F² DRAM架构研发近期取得关键进展。公司总裁曹堪宇博士在第四届集成芯片和芯粒大会上发表演讲，介绍了长鑫存储在DRAM器件、4F²架构及混合键合等方向的技术探索与积累，并宣布预计年底推出融合上述先进技术的新一代DDR5 RDIMM产品。