RecodeX 重构消息，在DRAM技术路线选择上，全球主要厂商出现明显分歧。美光总裁兼首席技术与产品官Scott DeBoer在年度技术网络研讨会上表示，公司不做4F²架构。他称美光研究该技术已超过20年，判定其因复杂度和成本问题不存在可量产的规模化路径，决定将资源投入6F²架构延续优化与3D DRAM。

三星电子半导体事业部CTO宋在赫在SEDEX 2026上重申仍在推进4F²开发，其4F²结合垂直沟道晶体管（VCT）方案计划连续用于10a、10b、10c三代DRAM，到10d节点转向3D DRAM。SK海力士已将4F²垂直栅极平台写入面向10纳米及以下的路线图，预计可实现20%以上位密度提升。

长鑫科技在第四届集成芯片和芯粒大会上宣布，融合4F²架构与混合键合技术的新一代DDR5 RDIMM服务器内存预计2026年底推出。