RecodeX 重构消息,长鑫存储就其第六代DRAM平台作出回应,该平台基于4F²架构,已通过工程样品验证。针对美光提出的“限制存储密度的是电容间距而非单元布局”这一观点,长鑫存储予以反驳。公司表示,首批4F²样品将于年底前出货。
长鑫存储回应美光4F²质疑,称首批样品年底出货
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