RecodeX 重构消息，华中科技大学与新加坡国立大学联合团队提出可控氧掺杂新方法，针对二维半导体与金属电极接触电阻过高、二硒化钨内部硒空位阻碍空穴传输的瓶颈，采用先制备金属电极再通氧退火的工艺，让氧气渗透填补硒空位并优化界面电子结构，使二硒化钨接触电阻降低约94%，空穴迁移率大幅提升。

基于该工艺制备的16纳米沟道二硒化钨p型晶体管，室温下弹道输运比率达81%，性能优于同尺寸先进硅基器件，为1纳米以下芯片研发扫清关键障碍。该成果仍需解决适配高介电常数绝缘层、二维材料规模化均匀生长等工程问题才能产业化落地。