Invisix 完成 2000 万欧元种子轮融资:当先进芯片的内部结构小到任何光线都看不见,这家 ASML 校友公司用软 X 射线重新「看见」半导体的测量盲区
芯片正在走向人类工程能力的极限。
当台积电和三星将晶体管密度推进到 2nm 以下,当 Intel 和 IMEC 开始试制 GAA(全环栅晶体管)和即将到来的 CFET(互补场效应晶体管)架构时,一个所有人都在悄悄回避的问题开始变得无法忽视:我们根本看不见这些结构有没有按照设计正确制造出来。
这不是比喻。这是字面意义上的光学瓶颈。
现代芯片制造中的光学计量(Optical Metrology)依赖于紫外和极紫外光(EUV)对芯片表面进行测量——但当晶体管结构被堆叠成三维架构、关键尺寸缩小到 2-5nm 时,光的波长开始成为物理障碍:光进不去,也出不来,光子无法探测深埋在多层薄膜下方的关键结构。与此同时,破坏性测量手段(如聚焦离子束扫描电子显微镜,FIB-SEM)虽然能看见,但它会破坏被测芯片——这在量产环境中完全不可接受。
这个测量盲区,每年造成数十亿美元的晶圆良率损失。 而全球最先进的芯片制造商,正在等待一种能穿透三维结构、实现无损、高通量测量的新技术。
2026 年 6 月,荷兰初创公司 Invisix 完成了 2000 万欧元的种子轮融资,由 Hitachi Ventures 领投,Transition Ventures、imec.xpand、Doosan Investment Co. 和一家未披露的顶级半导体制造商共同参与。公司由前 ASML 首席科学家 Christina Porter(CEO,物理学博士)和 Sietse van der Post(前 ASML)联合创立。
| 关键信息 | 内容 |
|---|---|
| 公司名称 | Invisix |
| 融资轮次 | 种子轮(Seed)——超额认购 |
| 融资金额 | €20,000,000(2000 万欧元) |
| 领投方 | Hitachi Ventures |
| 其他投资方 | Transition Ventures、imec.xpand、Doosan Investment Co.、顶级半导体制造商(未披露) |
| 联合创始人 | Christina Porter(CEO,前 ASML)、Sietse van der Post(前 ASML) |
| 公司总部 | 荷兰 |
| 核心技术 | 软 X 射线计量平台(基于高次谐波产生 HHG / 阿秒物理学) |
| 孵化背景 | ASML 内部孵化 10+ 年,基于诺贝尔奖级研究 |
| 行业 | 半导体计量 / 芯片制造装备 |
为什么现有计量工具正在失效:2nm 时代的测量危机
半导体制造的本质是误差控制——每一层薄膜的厚度、每一个孔洞的直径、每一条金属线的宽度,都必须在纳米级精度内被精确控制。计量(Metrology)就是测量这些误差的过程。
传统光学计量工具(如 KLA 的 PCAT、Nova 的 OCD)使用光学散射计量(Optical Critical Dimension,OCD)技术,通过测量光在芯片表面的散射模式来反推结构尺寸。这类方法在平面(2D)芯片结构时代效果极好,但当芯片架构变为三维(FinFET → GAA → CFET)时,面临三个不可克服的物理限制:
第一,穿透深度不足:可见光和近紫外光在硅/介电层中的穿透深度仅为数十纳米,无法探测深埋的 3D 结构层;第二,横向分辨率的衍射极限:光的衍射极限(Abbe Limit)限制了最小可分辨特征尺寸,2nm 结构在光学上接近不可测;第三,3D 建模的非唯一性:从二维光学信号反推三维结构时,存在”多解问题”——不同的三维结构可能产生相同的光学信号,导致测量结果的不确定性随芯片复杂度增加而急剧上升。
用一个类比:传统光学计量就像用手电筒照射一栋多层地下建筑——你只能看到地面层,地下的结构完全不透明。而 Invisix 的软 X 射线技术,相当于用 CT 扫描仪——它能穿透并精确成像每一个内部结构。
Invisix 的核心技术:HHG 软 X 射线的工业化突破
Invisix 的技术基础来自阿秒物理学(Attosecond Physics)——2023 年诺贝尔物理学奖正是授予了这一领域的开创者(Pierre Agostini、Ferenc Krausz、Anne L’Huillier)。
核心原理是高次谐波产生(High Harmonic Generation,HHG):将超短脉冲激光聚焦到气体靶上,通过强场物理效应产生相干的软 X 射线辐射。这种软 X 射线具有几个对半导体计量至关重要的特性:
– 波长短(约 1-10nm),理论上能分辨 2nm 以下的关键尺寸;
– 穿透深度足(相比光学),可以探测多层三维结构内部;
– 相干性高(实验室级激光源),散射信号可以进行精确重建;
– 脉冲超短(阿秒量级),可用于动态测量。
关键的工程挑战是:如何把一种通常只在大学实验室和同步辐射光源中使用的技术,变成可以装进芯片厂洁净室、连续运行 24/7、单次测量速度快、成本可商业化接受的工业级计量设备。这正是 Invisix 在 ASML 内部孵化 10+ 年真正解决的问题——不是基础物理,而是工程化。
ASML 孵化的战略意义:技术 de-risking 到了什么程度
Invisix 最重要的信号不是融资额,而是其孵化背景:这项技术在 ASML 内部被研发和验证了超过 10 年。
ASML 是全球唯一的 EUV 光刻机制造商,是整个半导体产业最关键的供应商。ASML 在内部花了十年时间研发和验证 HHG 软 X 射线计量技术,但选择将其剥离成独立公司,而不是将其整合进 ASML 的产品线——这本身就是一个极其重要的信号:
一方面,说明技术本身是真实可行的(ASML 的工程验证是行业最高标准);另一方面,也说明这项技术可能与 ASML 的核心业务(光刻机)存在某种战略配合关系——独立公司可以更灵活地服务所有客户,而不仅仅是 ASML 的光刻机用户。那家”顶级半导体制造商”以投资者身份参与种子轮,进一步暗示了已有实质性的早期客户关系。
竞争格局
| 公司 / 方案 | 定位 | 技术路线 | 目标客户 | 劣势 |
|---|---|---|---|---|
| Invisix | 软 X 射线 HHG 计量 | 阿秒激光 + HHG,非破坏性 | 先进节点晶圆厂 | 早期,工具尚未量产 |
| KLA Tencor | 计量与检测主导者 | 光学 + 电子束,多种平台 | 全球晶圆厂 | 现有工具在 2nm 以下失效 |
| Nova | 光学计量工具 | 散射计量(OCD)+ XPS | 晶圆厂、前端设备厂 | 穿透深度限制同样存在 |
| Onto Innovation | 薄膜和缺陷计量 | 光学,多工具 | 晶圆厂、封装厂 | 同上 |
| 同步辐射 X 射线(国家设施) | 最高精度测量 | 大型光源设施 | 研究机构 | 无法进芯片厂使用 |
| FIB-SEM(破坏性分析) | 截面分析 | 聚焦离子束 + 电子显微 | 失效分析实验室 | 破坏样品,无法用于量产 |
投资人组合解读:Hitachi + imec + Doosan
Hitachi Ventures 领投,而 Hitachi 本身是日本精密仪器和工业设备巨头——这不仅是财务投资,更可能是战略性的。Hitachi 在电子测量仪器领域有深厚积累,Invisix 的技术与其战略方向高度契合。imec.xpand 是全球最重要的半导体研究机构 imec 的投资部门,其参投意味着 Invisix 的技术已经在 imec 的研究环境中得到了验证或至少认可。Doosan Investment 来自韩国——韩国是三星和 SK Hynix 的大本营,两者都是 Invisix 最重要的潜在客户。这个投资者组合本身,就是一份客户预期清单。
关键风险与挑战
1. 工程化难度:把 HHG 软 X 射线从大学实验室环境变成工业级洁净室工具,在稳定性、维护成本、MTBF(平均无故障时间)上面临极大挑战;
2. 客户采购周期:台积电、三星的新工具采购从 POC 到正式采购通常需要 3-5 年,Invisix 需要足够长的资金 runway;
3. KLA 的防御反应:KLA 拥有超过 250 亿美元市值和庞大的客户关系网络,可以通过快速并购或内部研发来应对新技术威胁;
4. 单一赛道风险:Invisix 专注于先进节点计量,如果芯片制程的演进路径出现变化(如 3D 堆叠方向改变),技术需求可能随之调整;
5. 人才稀缺:同时精通阿秒物理学、光学工程和半导体制造工艺的人才极度稀缺,团队扩张速度将成为瓶颈。
Invisix 代表了半导体产业下一个十年最关键的技术赌注之一:当人类已经把芯片造得小到连测量它们都成了物理难题,唯一的出路是发明新的测量科学。基于诺贝尔奖级阿秒物理学、在 ASML 内部验证了十年的技术、由半导体设备行业最高认可度机构的专家创立——Invisix 的技术 de-risking 程度,在种子轮公司中几乎是史无前例的。2000 万欧元将被用来完成从实验原型到第一台工业级系统的临门一脚。如果成功,这家公司将进入一个年规模数十亿美元、竞争者寥寥的垂直市场——而整个半导体产业的先进制程良率,将可能取决于 Invisix 的测量结果。