长鑫存储第五代技术平台正式量产,微缩工艺取得新突破
RecodeX 重构消息,长鑫存储宣布第五代技术平台正式进入量产阶段,并在微缩工艺上实现新的突破。该平台量产后将用于其存储芯片产品线,进一步提升制程密度与产能水平。
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RecodeX 重构消息,9月20日,在2026世界制造业大会上,长鑫科技宣布第五代技术平台正式量产。该平台将内存阵列有源区半间距做到11.95纳米,存储器电容深宽比45:1,核心动能区高度降至6762纳米。
长鑫科技称,第五代工艺平台存储密度大幅提升,同等条件下每张晶圆产出较上一代平台提升50%以上。基于该平台打造的24GB LPDDR5X产品已进入正式量产,全面进入国产主流旗舰手机。