美光宣布跳过4F²架构 直接推进3D DRAM路线
RecodeX 重构消息，美光宣布，将跳过4F² DRAM架构，直接转向3D DRAM技术路线。这意味着美光不再沿循平面微缩的4F²节点，而是以三维堆叠结构作为下一代DRAM的发展方向。
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美光3D DRAM路线
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按最新发布排序美光称暂不采用4F²存储技术 将重点推进3D DRAM
RecodeX 重构消息，美光科技首席技术与产品官斯科特·德波尔表示，公司对4F²存储技术已评估超过20年，目前没有采用计划，将继续推进现有技术路线，并重点发展下一代3D DRAM。他认为，4F²技术更复杂、成本更高，实际优势有限，而3D DRAM更具发展潜力。