ASML与台积电联合倡议推动6×12英寸大尺寸光刻掩模版
RecodeX 重构消息,ASML与台积电于2026年9月正式联合发起行业倡议,推动光刻掩模版从沿用近半个世纪的6×6英寸标准转向6×12英寸矩形大尺寸格式。三星随后宣布加入该倡议,并计划在2028年将其导入DRAM量产;英特尔则透露内部推动Large Mask Format已超过三年。
按照最新产业时间表,2031年将建立12英寸掩模版试验线,2033年正式支持先进节点量产。该尺寸调整旨在解决High-NA EUV因4×/8×非对称缩小光学系统导致的曝光视场减半问题,恢复约38.1mm的物理视场跨度,从而提升晶圆厂生产效率、降低制造成本并消除拼接限制。
掩模版尺寸变更将牵动整条产业链,包括掩模版基板、电子束写版设备等环节。HOYA预计EUV掩模版基板中期市场增长将超过10%,并计划在新加坡现有工厂旁建设新厂,于2028财年投产,初始投资约420亿日元。
