RecodeX 重构消息，有报道称，三星电子计划采用台积电3纳米工艺，为英伟达定制高带宽内存NVHBM生产基础裸片（Base Die），同时也在验证由自家晶圆代工部门生产的可能性。

基础裸片是HBM中位于存储核心裸片下方的逻辑芯片。英伟达在公布NVHBM时介绍，其结构将定制内存控制器集成到HBM基础裸片之中。有分析师援引韩国媒体报道称，英伟达已向三星提出采用该工艺的要求。