三星承接英伟达HBM订单

RecodeX 重构消息，有报道称，三星电子计划采用台积电3纳米工艺，为英伟达定制高带宽内存NVHBM生产基础裸片（Base Die），同时也在验证由自家晶圆代工部门生产的可能性。

基础裸片是HBM中位于存储核心裸片下方的逻辑芯片。英伟达在公布NVHBM时介绍，其结构将定制内存控制器集成到HBM基础裸片之中。有分析师援引韩国媒体报道称，英伟达已向三星提出采用该工艺的要求。

RecodeX 重构消息，Citrini分析师Jukan表示，在三大存储厂商中最看好三星电子。他认为台积电需为英伟达Rubin、Rubin Ultra分配晶圆产能，难以大量承接英伟达HBM订单，而拥有自有代工能力的三星有望满足这部分超额需求。

韩国媒体此前报道，应英伟达要求，三星已决定采用台积电3纳米工艺生产HBM底座芯片，同时未完全排除自有代工方案，正验证在需求超出台积电产能时能否自产底座芯片。