RecodeX 重构消息，台积电高密度6T SRAM存储单元面积自2020年N5工艺量产以来长期停留在约0.021平方微米，此后N3、N2节点虽持续迭代逻辑晶体管，存储单元尺寸却几乎未变，微缩停滞约8年。

按规划，台积电将在2028年量产的A14工艺上把高密度6T SRAM位单元面积缩小至0.017平方微米以下，降幅超过19%，有望打破这一停滞局面。