存储芯片市场动态

RecodeX 重构消息，存储市场多条动态集中释放。集邦咨询预估2031年VCSEL市场需求量有望达6.5亿颗；长鑫技术取得新突破，4F²架构产品预计年底亮相。

市场层面，存储芯片热潮退烧，韩股成交额较峰值暴跌70%；伯恩斯坦称存储预期调整，英伟达AI机柜成本下修17%；阿斯麦将上调在韩零部件报价，涨幅10%；台积电争取在美先进封装2028上半年投产；SK海力士拟加速光州半导体集群建设。

公司与产品方面，美光科技12月将股票回购计划规模扩大至350亿美元；铠侠推出面向超大规模数据中心的E1.L QLC SSD；Meta发布CRAM内存压缩方案，只读性能接近原生DRAM。

RecodeX 重构消息，金十数据整理9月29日存储市场要闻。长鑫科技拟分别投资241亿元和108亿元，建设技术研发项目及存储器晶圆后道测试基地二期项目。三星电子高管表示，HBM明年将占DRAM芯片制造商总晶圆产能的近30%，目前约为20%；三星正加速平泽P5首个量产线建设，设备引进时间或提前至明年二季度。三星系6家企业向AI基础设施公司Helix合计投资10亿美元。三星电机宣布6.78万亿韩元投资，提升AI服务器用FCBGA半导体基板产能，并另投4.27万亿韩元扩建封装基板生产设施。