消息称三星电子开发zNAND-T与zNAND-I闪存，分别优化吞吐量与随机性能
RecodeX 重构消息，有消息称，三星电子正在开发两款新型闪存产品zNAND-T与zNAND-I，两者分别针对吞吐量和随机性能进行优化。目前相关产品的具体规格、量产时间及目标应用场景尚未公布。
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三星zNAND-O存储设计
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按最新发布排序三星电子研发三种z-NAND闪存 拓展下一代存储应用
RecodeX 重构消息，业内人士12日透露，三星电子正在拓展其下一代NAND闪存产品“z-NAND”的应用范围，初步研发三种类型的z-NAND闪存，除近期发布的z-NAND-O外，还包括z-NAND-T和z-NAND-I。三星电子去年8月在美国举办的一场存储器相关活动上首次展示了z-NAND-O的样机。
三星电子展示zNAND-O设计 面向边缘AI负载
RecodeX 重构消息，三星电子展示了一款名为zNAND-O的存储设计，面向边缘AI工作负载。该设计采用硅通孔（TSV）技术，将NAND闪存堆叠为四层或八层结构，从而缩短数据传输路径，提升速度与能效。