事件追踪 · 持续发展中
半导体风云录
追踪全球半导体、芯片制造、封装测试及集成电路产业链的最新动态
关注仅保存在当前浏览器和域名中，无需登录，不会自动跨设备同步。事件时间线
按最新发布排序第二季度三星电子以39%市场份额重返DRAM市场第一，美光科技以25%份额位居其后，长鑫存储成为增长最快厂商。
第二季度三星电子以39%市场份额重返DRAM市场第一，美光科技以25%份额位居其后，长鑫存储成为增长最快厂商。
研微半导体SiC EPI设备再次交付国内上市公司客户，适配6/8英寸SiC晶圆，覆盖新能源汽车功率器件等赛道，支持平面与沟槽类外延量产工艺。
研微半导体SiC EPI设备再次交付国内上市公司客户，适配6/8英寸SiC晶圆，覆盖新能源汽车功率器件等赛道，支持平面与沟槽类外延量产工艺。
声网与AI芯片商爱芯元智联合推出基于AX8850N芯片的机器人实时互动方案，覆盖工业AGV、服务机器人、家庭陪护、农业巡检等场景。
声网与AI芯片商爱芯元智联合推出基于AX8850N芯片的机器人实时互动方案，覆盖工业AGV、服务机器人、家庭陪护、农业巡检等场景。
美银预测云计算支出将达1.18万亿美元，AI投资驱动芯片设备订单增长，应用材料、泛林研究和科磊有望受益。
美银预测云计算支出将达1.18万亿美元，AI投资驱动芯片设备订单增长，应用材料、泛林研究和科磊有望受益。
SK海力士近月买入约108亿美元债券，跻身韩国债市重要买方，并计划扩大公司债投资、建立常设债券投资体系。
SK海力士近月买入约108亿美元债券，跻身韩国债市重要买方，并计划扩大公司债投资、建立常设债券投资体系。
长鑫存储计划小规模生产LPDDR6手机存储芯片，进军高端移动DRAM市场，或加剧与三星、SK海力士的竞争。
长鑫存储计划小规模生产LPDDR6手机存储芯片，进军高端移动DRAM市场，或加剧与三星、SK海力士的竞争。
SK海力士发布新一代HBF高带宽闪存首个标准，基于NAND堆叠，容量最高512GB，带宽最高3TB/s，旨在巩固AI内存市场领先地位。
SK海力士发布新一代HBF高带宽闪存首个标准，基于NAND堆叠，容量最高512GB，带宽最高3TB/s，旨在巩固AI内存市场领先地位。
更多报道（1）
三星散户投资者要求召开临时股东大会，讨论股票回购和奖金事宜，此前公司股价已较历史高位下跌逾三分之一。
三星散户投资者要求召开临时股东大会，讨论股票回购和奖金事宜，此前公司股价已较历史高位下跌逾三分之一。
清华系空间光计算芯片商每刻深思与壁仞科技、阶跃星辰达成战略合作，联合发布光电融合AI智算平台，实现空间光计算商用落地。
清华系空间光计算芯片商每刻深思与壁仞科技、阶跃星辰达成战略合作，联合发布光电融合AI智算平台，实现空间光计算商用落地。
中国长鑫存储即将量产媲美行业最先进设计的智能手机内存芯片，缩小与SK海力士、三星的差距，显示中国在AI关键存储领域加速追赶。
中国长鑫存储即将量产媲美行业最先进设计的智能手机内存芯片，缩小与SK海力士、三星的差距，显示中国在AI关键存储领域加速追赶。