RecodeX 重构消息，台积电公布BEOL（后段制程）内存技术进展，其存储单元面积缩小至0.017平方微米，直接对标3D DRAM方案。该技术将内存单元集成于芯片后段互连层，与3D DRAM在密度方向上形成竞争。台积电官方对此作出否认表态，相关说法背后另有考量。